打破壟斷，中國首臺，10nm壓印光刻機系統交付！

8月5日，璞璘科技在其官方微信公眾號發文，宣布已于8月1日成功交付中國首臺半導體級步進式納米壓印光刻系統——PL-SR。

這標志著我國在納米壓印光刻設備領域實現重大突破，也意味著打破了在該領域長期主導市場日本佳能的壟斷。

目前，全球納米壓印光刻（NIL）設備的技術領先者是佳能。2024年9月28日，佳能發布了其最先進的NIL系統FPA-1200NZ2C，該系統支持14nm線寬圖形化，最高可用于5nm制程邏輯芯片制造。然而，由于出口限制，該系統已被列入對華禁運范圍。

而此次璞璘科技交付的PL-SR系列噴墨步進式納米壓印系統，正是在對標佳能NIL系統的基礎上自主研發而成。它的交付不僅打破了國外壟斷，也為我國在高端芯片制造設備領域打開了新局面。

圖源：璞璘科技

據介紹，PL-SR設備攻克了多項技術瓶頸，包括：步進硬板在非真空環境下實現完全貼合、噴墨式納米涂膠技術、模板面型精度控制等核心難點。

設備實現了納米級壓印膜厚控制，技術指標達到平均殘余層＜10nm，變化＜2nm，壓印結構深寬比＞7:1，可滿足線寬＜10nm的制程需求。

此外，該設備還具備高精度拼接能力，最小支持20mm×20mm的模板均勻拼接，最終可拓展到12英寸晶圓級超大模板應用。

在高端芯片制造領域，業界對準精度普遍要求突破10nm，甚至逼近1nm。這一指標的實現，意味著其工藝復雜度和研發難度已接近國際主流的EUV光刻系統。

納米壓印光刻（NIL）是一種替代傳統光刻的新型微納加工技術，其原理并非依賴光或電子輻射，而是通過模具物理壓印方式將圖案轉移到光刻膠上。

壓印膠通常是液態聚合物，需在壓印時極其柔軟，常見類型包括熱壓型、紫外光固化型和熱光混合型。壓印完成后，通過脫模實現圖案復制。

納米壓印光刻的核心優勢在于，它不受光學衍射極限影響，分辨率主要由模板決定（一般采用電子束光刻加工），理論上可突破3nm甚至2nm的圖形尺寸限制。

相較EUV光刻，納米壓印在制造成本、能耗以及工藝靈活性方面具有明顯優勢，尤其適用于存儲芯片、硅光芯片、硅基微顯示器等特種應用場景。

圖源：佳能納米壓印與光學光刻流程對比

納米壓印具備一系列傳統光刻難以實現的制造能力，包括：0.3nm級超高分辨率、＜6nm半間距的高密度圖形、三維圖案成型、無光學散射影響、兼容柔性襯底、大面積復制能力、設備結構簡單、能耗低、成本可控等。也因此，它正逐步成為大規模納米結構制造的關鍵工藝。

目前納米壓印逐步成為大規模生產納米結構的關鍵技術之一，現在已被廣泛應用于LED、AR/VR、光學器件、生物醫學檢測等多個領域。納米壓印已產生數十億美元的年產值， 而且迅速成長。