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KRNSEMI KRF5088微波低噪晶體管|1.1dB超低噪聲|9GHz特征頻率|SOT-23封裝|衛(wèi)星/5G專用
發(fā)表時(shí)間:2025-07-25 14:53
KRNSEMI KRF5088微波低噪聲晶體管 - 衛(wèi)星/5G前端核心器件
KRNSEMI KRF5088微波低噪聲晶體管
1.1dB超低噪聲|9GHz特征頻率|15dB功率增益|-65℃~150℃軍工級(jí)
射頻核心性能
行業(yè)領(lǐng)先噪聲系數(shù)
:1.1dB@900MHz/5mA(典型值)
高頻特性
:9GHz特征頻率 + 0.4pF超低反饋電容
功率增益
:15dB S21增益|16dB GUM(900MHz)
線性動(dòng)態(tài)
:17dBm P1dB壓縮點(diǎn)|寬電流線性范圍
漏電流<0.05μA|擊穿電壓12V|70mA持續(xù)電流
關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比
參數(shù)
測試條件
典型值
單位
噪聲系數(shù)(NF)
900MHz/5mA
1.1
dB
特征頻率(f
T
)
V
CE
=6V
9
GHz
輸出功率(P
L1
)
900MHz/20mA
17
dBm
反饋電容(C
re
)
V
CE
=6V
0.4
pF
微波系統(tǒng)應(yīng)用
衛(wèi)星通信
:LNB高頻頭一級(jí)放大
5G微基站
:n78頻段射頻前端
雷達(dá)系統(tǒng)
:K波段運(yùn)動(dòng)探測器
有線電視
:CATV干線放大器輸入級(jí)
物聯(lián)設(shè)備
:UWB精準(zhǔn)定位模塊
封裝優(yōu)勢(shì)
SOT-23封裝
:2.9×1.6mm微型尺寸(三引腳)
引腳定義:1基極|2發(fā)射極|3集電極
兼容自動(dòng)化貼片|260℃回流焊工藝
工作溫度范圍:-65℃~150℃
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